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19.09.2013 - 20.09.2013 | Berlin

Technologie und Anwendung von Nitridhalbleitern

,Berlin WideBaSe' lädt ein zur zweiten Konferenz „Technologie und Anwendung von Nitridhalbleitern“. Experten aus Forschung und Industrie stellen aktuelle Ergebnisse auf dem Gebiet der breitlückigen Halbleiter vor.

Die Themen reichen von den Materialien bis zu verschiedenen Anwendungsfeldern. Konferenzschwerpunkte sind u.a. Substrate und Epitaxie, GaN-Leistungselektronik, UV-LEDs mit Anwendungen in Desinfektion und Medizintechnik sowie UV-Photodetektoren. Neben den WideBaSe-Partnern präsentieren u.a. das UK Nitride Consortium, sowie die polnischen Firmen AMMONO und TopGaN.

,Berlin WideBaSe' bündelt das Know-how und die technischen Ressourcen von zehn Unternehmen und drei Forschungseinrichtungen aus Berlin zur
Entwicklung, Herstellung und den Vertrieb von optoelektronischen und elektronischen Bauelementen auf der Basis von breitlückigen Halbleitern (Wide-Bandgap-Semiconductors).

Die Konferenzssprache ist Englisch.

Hinweise zur Teilnahme:
http://www.berlin-widebase.de/de/veranstaltungen/2nd-berlin-widebase-conference-...

Termin:

19.09.2013 ab 13:00 - 20.09.2013 13:00

Anmeldeschluss:

23.08.2013

Veranstaltungsort:

pentahotel Berlin, Köpenick
Grünauer Straße 1
12557 Berlin
Berlin
Deutschland

Zielgruppe:

Wirtschaftsvertreter, Wissenschaftler

Relevanz:

überregional

Sachgebiete:

Elektrotechnik, Physik / Astronomie

Arten:

Konferenz / Symposion / (Jahres-)Tagung

Eintrag:

16.08.2013

Absender:

Gesine Wiemer

Abteilung:

Pressestelle des Forschungsverbundes Berlin e.V.

Veranstaltung ist kostenlos:

nein

Textsprache:

Deutsch

URL dieser Veranstaltung: http://idw-online.de/de/event44515


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