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Bild zu: Ein alternativer Ansatz zur Untersuchung intrinsischer Eigenschaften von Festkörpermaterialien


Elektronische Zustandsdichte für die TaGeIr-Modelle mit Ir-, Ge- und Ta-Atomen auf den heterokubischen 4c Wyckoff-Positionen und die entsprechenden atomaren Anordnungen.
Elektronische Zustandsdichte für die TaGeIr-Modelle mit Ir-, Ge- und Ta-Atomen auf den heterokubischen 4c Wyckoff-Positionen und die entsprechenden atomaren Anordnungen.

© MPI CPfS

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