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12/01/2005 13:43

IEDM 2005: IHP präsentiert Lichtemitter auf Basis von Silizium

Birgit Besse Kommunikation & Marketing
Brandenburgische Technische Universität Cottbus

    Frankfurt (Oder), 1. Dezember 2005: Das IHP (Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik) bestätigt mit der Teilnahme an der renommierten Konferenz "International Electron Devices Meeting" (IEDM) seine internationale Spitzenposition in der Hightech- und Mikroelektronikforschung. Der IHP-Wissenschaftler Prof. Martin Kittler stellt in einem Vortrag die neuesten Forschungsergebnisse auf dem Gebiet der Lichtemitter vor, die auf Silizium basieren und für eine zukünftige optische Datenübertragung auf dem Chip entwickelt werden.

    Die im jährlichen Wechsel in San Francisco und Washington stattfindende IEDM gilt seit fünfzig Jahren als die weltweit wichtigste Konferenz zu Neuentwicklungen in der Mikro- und Nanotechnologie. Vom 5. bis 7. Dezember werden in Washington führende Wissenschaftler aus der ganzen Welt in rund 240 Vorträgen dem internationalen Fachpublikum die neusten Forschungsergebnisse präsentieren. Das IHP beteiligte sich, wie schon in den vergangenen Jahren, an dem Meeting und lieferte einen der insgesamt 10 deutschen Beiträge.

    Über einen neuartigen versetzungsbasierten Lichtemitter wird Prof. Martin Kittler berichten. Erstmals gelang es dem IHP, gemeinsam mit dem MPI für Mikrostrukturphysik Halle und dem Gemeinsamen Labor des IHP mit der Brandenburgischen Technischen Universität Cottbus, die Grundlagen für einen Lichtemitter zu erarbeiten, der bei einer Wellenlänge von 1.55 µm strahlt. Besonders wichtig ist, dass dieser Lichtemitter mit der CMOS-Technologie kompatibel ist und monolithisch in den Chip integriert werden kann. Da es sich bei Silizium um sogenanntes indirektes Halbleitermaterial handelt, ist eine effiziente Lichtemission bei Raumtemperatur besonders schwierig zu erreichen. Der Emitter beruht auf einem definierten Versetzungsnetzwerk, das sich durch Silicon Wafer Direct Bonding (direktes Verbinden von Silizium-Scheiben) herstellen lässt, wobei die beiden absolut ebenen und reinen Silizium-Scheiben mit einer kontrollierten Fehlorientierung zusammengebracht werden.

    Viele Basiselemente für eine zukünftige siliziumbasierte Optoelektronik, wie schnelle elektro-optische Modulatoren, schnelle integrierbare Germanium-Detektoren oder Wellenleiter, die mit der CMOS-Technologie vereinbar sind, konnten bereits von anderen Forschungseinrichtungen demonstriert werden. Der vom IHP präsentierte Lichtemitter ist das letzte fehlende Grundelement. Damit sind in der Zukunft Lösungen möglich, um beispielsweise die Synchronisations-Signale bei Taktfrequenzen oberhalb von 20 GHz auf dem Chip optisch übertragen zu können.

    Ansprechpartner:
    Heidrun Förster
    Mitarbeiterin für Öffentlichkeitsarbeit
    Tel: 0335 5625 204
    Fax: 0335 5625 222
    Email: foerster@ihp-microelectronics.com

    Über das IHP:
    Das IHP ist ein Forschungsinstitut der Leibniz-Gemeinschaft. Seine Kernkompetenzen sind System- und Schaltkreis-Design, Technologieentwicklung und Materialforschung für die drahtlose- und Breitbandkommunikation. Das IHP beschäftigt etwa 200 FuE-Spezialisten und verfügt über eine hochmoderne Pilotlinie für die Herstellung von Hochgeschwindigkeits-Schaltkreisen, die sich in einem 1000 m² großen Reinstraum der Klasse 1 befindet.


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    Criteria of this press release:
    Electrical engineering, Energy, Information technology
    transregional, national
    Research results, Transfer of Science or Research
    German


     

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