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Eine Ausgründung des Berliner Ferdinand-Braun-Instituts für Höchstfrequenztechnik überzeugt beim Businessplan-Wettbewerb: BeMiTec erringt mit ihrem innovativem Technologiekonzept für leistungsstarke Transistoren den 2. Platz unter mehr als 450 Bewerbern.
Schneller, kleiner und leistungsfähiger: Das sind die Attribute, mit denen neuartige Galliumnitrid-Leistungstransistoren (GaN) für künftige Mobilfunkanwendungen beim Businessplan-Wettbewerb Berlin-Brandenburg 2006 (www.b-p-w.de) gepunktet haben. Mit ihrer Geschäftsidee, der Produktion und Vermarktung dieser zukunftsorientierten Hochleistungsverstärker, hat die BeMiTec AG (www.bemitec.com) den 2. Platz erreicht.
Das junge Unternehmen setzte sich unter insgesamt 456 Bewerbern in der ersten Stufe des Wettbewerbs durch. BeMiTec wurde im Januar 2006 gegründet und ist die jüngste von insgesamt fünf Ausgründungen aus dem Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH). Das FBH ist eines der weltweit führenden Institute bei der Forschung und Entwicklung der neuen Transistoren-Generation. Sieben Wissenschaftler und Führungskräfte des FBH haben BeMiTec gegründet, so kann das Unternehmen auf der Forschungskompetenz des Instituts aufbauen. "Wir sind derzeit die einzigen, die den Mobilfunkanbietern GaN-Transistoren aus einer Hand, nach Maß und Made in Germany anbieten können", sagt BeMiTec-Vorstand Dr. Friedrich Lenk.
Die FBH-Verstärker auf GaN-Basis bringen es derzeit auf den europäischen Spitzenwert von 100 W Ausgangsleistung und ermöglichen eine signifikante Steigerung der Bandbreite. Damit bieten sie die Voraussetzung für mobile Dienste mit hohem Datenaufkommen, die Zusammenfassung mehrerer Dienste in einem einzigen Verstärkermodul sowie eine Verkleinerung der Baugruppen. Aufgrund ihrer vielfältigen Einsatzmöglichkeiten und dank ihrer deutlich höheren Leistungsfähigkeit werden die neuen GaN-Transistoren die derzeit verwendeten Silizium- und Galliumarsenid-Transistoren in den nächsten Jahren ersetzen.
Die Technologie für Zukunftsanwendungen in der mobilen Kommunikation
Der international stark wachsende Markt in der drahtlosen Kommunikation (Mobilfunk, WLAN, WiMAX) stellt immer höhere technische Anforderungen an die Sendeverstärker in den Basisstationen. Anwendungen wie mobiles Internet erfordern eine flächendeckende breitbandige Versorgung. Dies gilt auch für personalisierte mobile Dienste wie Mobile Video on Demand, Mobile Video Conferencing oder hochauflösendes Mobil-TV, die auf den umsatzstarken Endverbrauchermarkt zielen. Insbesondere der WiMAX-Standard (Worldwide Interoperability for Microwave Access), der derzeit in zahlreichen Feldversuchen weltweit erprobt wird, verspricht einen Markt in Milliardengröße.
Ein weiterer Einsatzbereich sind konfigurierbare Basisstationen für den Mobilfunkbereich. Durch ihre Breitbandigkeit lassen sich solche Basisstationen einfach für die verschiedenen Mobilfrequenzen umschalten. Da nur noch ein Grundtyp gefertigt werden muss, reduzieren sich die Herstellungs- und Betriebskosten.
Auch für Weltraumanwendungen, zum Beispiel an Bord von Kommunikationssatelliten, sind die neuen Transistoren attraktiv, da sie unempfindlich gegen die harte Strahlung des Weltraums sind. So können sie in Umgebungen eingesetzt werden, in denen andere Bauelemente bereits versagen oder aufwändig geschützt werden müssen.
Weitere Informationen:
Petra Immerz, M.A.
Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik
Gustav-Kirchhoff-Straße 4, 12489 Berlin
030 / 6392-2626
immerz@fbh-berlin.de
Pressefotos finden Sie unter:
http://www.fbh-berlin.de/deutsch/pres/pres_3.html
Bitte beachten Sie das Copyright.
Hintergrund zum FBH
Das FBH
Das Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik ist eines der weltweit führenden Institute für anwendungsorientierte und industrienahe Forschung in der Mikrowellentechnik und Optoelektronik. Auf der Basis von III/V-Verbindungshalbleitern realisiert es Hochfrequenz-Bauelemente und Schaltungen für Anwendungen in der Kommunikationstechnik und Sensorik. Leistungsstarke und hochbrillante Diodenlaser entwickelt das Institut für die Materialbearbeitung, Lasertechnologie, Medizintechnik und Präzisionsmesstechnik. Die enge Zusammenarbeit des FBH mit Industriepartnern und Forschungseinrichtungen garantiert die schnelle Umsetzung der Ergebnisse in praktische Anwendungen. Das Institut beschäftigt 160 Mitarbeiter und hat einen Etat von 14 Millionen Euro. Es gehört zum Forschungsverbund Berlin e.V. (FVB) und ist Mitglied der Leibniz-Gemeinschaft.
Galliumnitrid- Leistungstransistor im Gehäuse.
Foto: FBH/Schurian.com
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Galliumnitrid-Wafer mit HEMT-Transistoren (HEMT = High Electron Mobility Transistor).
Foto: FBH/Schurian.com
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Criteria of this press release:
Electrical engineering, Energy, Information technology, Mathematics, Mechanical engineering, Physics / astronomy
transregional, national
Research results, Transfer of Science or Research
German
Galliumnitrid- Leistungstransistor im Gehäuse.
Foto: FBH/Schurian.com
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Galliumnitrid-Wafer mit HEMT-Transistoren (HEMT = High Electron Mobility Transistor).
Foto: FBH/Schurian.com
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