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04/09/2008 14:25

Ordnungshilfe für Silizium

Barbara Abrell Referat Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.

    Stuttgarter Materialwissenschafter beherrschen die Kristallisationstemperatur von Silizium

    Ordnungshilfen erleichtern das Leben: Der Halbleiterindustrie könnte Aluminium helfen, Silizium bei niedrigen Temperaturen von der ungeordneten in eine geordnete Form umzuwandeln. Dieses kristalline Silizium arbeitet etwa in Solarzellen deutlich effizienter. Es lässt sich bislang aber nur bei hohen Temperaturen herstellen und daher nicht auf hitzeempfindliche Materialien wie Kunststoff oder Papier auftragen. Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Metallforschung in Stuttgart haben nun einen Weg gefunden, die Kristallisationstemperatur von Silizium gezielt zu senken - von 700 Grad Celsius bis auf 150 Grad Celsius und jede beliebige Temperatur dazwischen. Das gelang ihnen, indem sie eine dünne Aluminiumschicht auf dem ungeordneten Silizium aufbrachten; die Dicke der Schicht bestimmte dann die Kristallisationstemperatur. Die Forscher haben zudem erklärt, warum das so ist. Diese Erkenntnisse könnten dazu beitragen, Solarzellen und andere elektronische Bauteile auf billigen und flexiblen Materialien wie Glas, Kunststoff oder gar Papier herzustellen. (Physical Review Letters, 27. März 2008)


    More information:

    http://goto.mpg.de/mpg/pri/200804091


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    Ordnung im Spalt: Eine Aluminiumdeckschicht senkt die Kristallisationstemperatur von amorphem Silizium (a-Si). Zuerst benetzt das a-Si die Korngrenzen in der Aluminium-Deckschicht (Al). Oberhalb einer kritischen Dicke des benetzenden a-Si-Films wird an solchen Al-Korngrenzen die Kristallisation eingeleitet.
    Ordnung im Spalt: Eine Aluminiumdeckschicht senkt die Kristallisationstemperatur von amorphem Silizi ...
    Source: Max-Planck-Institut für Metallforschung


    Criteria of this press release:
    Biology, Chemistry, Materials sciences, Mathematics, Physics / astronomy
    transregional, national
    Research results
    German


     

    Ordnung im Spalt: Eine Aluminiumdeckschicht senkt die Kristallisationstemperatur von amorphem Silizium (a-Si). Zuerst benetzt das a-Si die Korngrenzen in der Aluminium-Deckschicht (Al). Oberhalb einer kritischen Dicke des benetzenden a-Si-Films wird an solchen Al-Korngrenzen die Kristallisation eingeleitet.


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