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Halbleiterexperten treffen sich in Braunschweig
Nitrid-Halbleiter sind die Grundlage für moderne Beleuchtungstechnik. Schon
in naher Zukunft werden so genannte Weißlicht-LEDs auf Nitrid-Basis mit
weiter verbesserten Eigenschaften ineffiziente Glühbirnen verdrängen. Sie
können in Frontscheinwerfern von Autos strahlen, die Herstellung von
Taschen-Beamern ermöglichen und in zahllose weitere Produkte Einzug halten.
Ein herausragendes Merkmal der LED-Technik ist die Effizienz: Im Vergleich
zu konventionellen Glühbirnen wird fast keine elektrische Energie mehr
benötigt - ein hervorragendes Beispiel für klugen Energieverbrauch ("Smart
Energy Consumption") und ein weiterer Schritt in Richtung nachhaltige
Technologien.
Über 150 Spezialistinnen und Spezialisten aus dem Bereich der
Halbleiter-Epitaxie treffen sich am 4. und 5.12.2008 an der Technischen
Universität Braunschweig zum 23. Workshop des Arbeitskreises "Epitaxie von
III/V-Halbleitern" der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und
Kristallzüchtung (DGKK). Sie werden die neuesten Entwicklungen im Bereich
Herstellung, Prozessierung und Anwendung von Halbleitern diskutieren.
Ausgerichtet wird die Veranstaltung vom Institut für Halbleitertechnik der
Technischen Universität Braunschweig. Veranstaltungsort ist die
Welfenakademie, Salzdahlumer Straße 160, 38126 Braunschweig.
Kontakt:
Prof. Andreas Waag
Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität Braunschweig
Hans-Sommer-Straße 66, 38106 Braunschweig
Tel.: 0531 391-3773
E-Mail: a.waag@tu-braunschweig.de
Hightech-Halbleiter für künftige Anwendungen müssen mit äußerster Präzision hergestellt werden. Am I ...
Source: Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig
Dipl.-Ing. Vladimir Petukhov charakterisiert Kristallschichten bezüglich ihrer Ladungsträgerverteilu ...
Source: Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig
Criteria of this press release:
Electrical engineering, Materials sciences
transregional, national
Scientific conferences
German
Hightech-Halbleiter für künftige Anwendungen müssen mit äußerster Präzision hergestellt werden. Am I ...
Source: Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig
Dipl.-Ing. Vladimir Petukhov charakterisiert Kristallschichten bezüglich ihrer Ladungsträgerverteilu ...
Source: Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig
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