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Heute unterzeichneten Georg Milbradt, Ministerpräsident von Sachsen, Edelgard Buhlmann, Bundesministerin für Bildung und Forschung (BMBF), Hans-Jörg Bullinger, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft sowie Hector Ruiz, Vorstandsvorsitzender von Advanced Micro Devices Inc. (AMD) und Wolfgang Ziebart, designierter Vorstandvorsitzender der Infineon Technologies AG, ein "Memorandum of Understanding" im Schloss Eckberg in Dresden. Damit legten sie die Basis für das neue Forschungszentrum für Nanoelektronische Technologien (CNT) in Dresden. Die Nanoelektronik ist eine Weiterentwicklung der Mikroelektronik, die mit noch kleineren Bauteilen höhere Leistungen schafft.
Damit wird Dresden zu einem der wichtigsten Standorte der europäischen Spitzenforschung auf dem Gebiet der Nanoelektronik. Bereits heute ist die Region Dresden mit einem Netzwerk aus Industrie, Instituten und Hochschulen der größte europäische Elektronikstandort. Hier werden hochkomplexe Chips produziert, die international zur Weltspitze gehören. Dank kontinuierlicher Investitionen und hoher Wertschöpfung entstanden in den vergangenen Jahren über 20 000 Arbeitsplätze.
In dem "Memorandum of Understanding" vereinbarten die Partner Forschungsschwerpunkte, Organisation und Finanzierung. Die Fraunhofer-Gesellschaft, Infineon und AMD werden gemeinsam das Zentrum für Nanoelektronik als Fraunhofer-Einrichtung aufbauen. Es nutzt Reinraumfläche sowie Infrastruktur im neuen Entwicklungszentrum für Speicherprodukte bei Infineon in Dresden. Dort werden Anwender und Entwickler auf dem Gebiet der Nanotechnologie forschen und Ergebnisse in der Produktion testen. Schwerpunkt ist die 300 mm Siliziumwafer Technologie. Der Freistaat Sachsen und das BMBF unterstützen die neue Fraunhofer-Einrichtung mit Zuschüssen von insgesamt 80 Mio. Euro. Die Industriepartner planen in den nächsten fünf Jahren Forschungsprojekte von rund 170 Mio. Euro.
"Das neue Zentrum stärkt unsere Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten in Dresden und ermöglicht uns, noch enger mit hiesigen Universitäten, Instituten und AMD zusammenzuarbeiten", sagte Wolfgang Ziebart für Infineon. Erst im vergangenen Jahr hat Infineon mit dem Entwicklungszentrum für Speicherprodukte seine Technologie-Entwicklung im Speicherbereich in Dresden gebündelt.
"Mit unserer Beteiligung wollen wir AMDs erfolgreiches Engagement in Dresden fortsetzen. Wir erwarten, dass unser neues 300 mm Werk AMD Fab 36 direkt von der produktionsnahen Forschung und Entwicklung, die im CNT geplant ist, profitieren wird", ergänzte Hector Ruiz, Vorstandsvorsitzender von AMD.
"Das Zentrum ist ein Modell für die Verzahnung von Forschung und Fertigung", so Hans-Jörg Bullinger, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft. "Es steht weiteren Partnern offen, beispielsweise Material- oder Geräteherstellern. Wesentlich für den Erfolg ist, dass alle Komponenten - Prozesse, Anlagen und Materialien - gleichzeitig einsatzbereit sind. Damit passt es hervorragend zu den bisherigen Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten der Fraunhofer-Institute in der Mikroelektronik."
Bundesforschungsministerin Edelgard Bulmahn erklärte: "Mit der Gründung des Fraunhofer-Zentrums setzt das BMBF bereits ein Jahr nach Gründung des Maskenhauses einen weiteren wichtigen Schwerpunkt in der Nanoelektronik. Nirgendwo werden Ergebnisse der Grundlagenforschung rascher in Produkte umgewandelt als hier. Mit dem CNT wählen wir erstmals den Weg, gleich zum Start eine Partnerschaft mit der Industrie zu vereinbaren. Das alles zeigt, wie attraktiv Deutschland als Standort für Innovation ist."
Sachsens Ministerpräsident Georg Milbradt freute sich, dass Dresden zum Magneten führender Mikro- und Nanoelektronikforscher weltweit wird. "Ich bin sicher, dass sie bald mit innovativen Technologieprodukten von sich reden machen. Ich werde mich dafür einsetzen, die besten Wissenschaftstalente ins sächsische Elbflorenz zu holen. Ich hoffe, dass wir bald weitere Früchte unserer langfristigen Politik ernten, die auf Hochtechnologie setzt, gute Kontakte zu den Unternehmen pflegt und Investitionen unterstützt".
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Wafer: Scheibe aus Halbleitermaterial, auf der eine Vielzahl identischer Chips aufgebaut wird. Die bisher größten Wafer haben einen Durchmesser von 300 Millimetern.
Silizium: Halbleitermaterial mit verhältnismäßig geringer Eigenleitung, die durch Dotierung mit Fremdatomen gezielt heraufgesetzt werden kann. Weitere günstige Eigenschaften machten das Material zum nahezu idealen Werkstoff für die Herstellung elektronischer Bauelemente bis hin zu Speicherchips und Mikroprozessoren.
Nanoelektronik: Die Wissenschaft und Technik zur Erforschung und Herstellung von Materialstrukturen kleiner als 1 Mikrometer.
Criteria of this press release:
Economics / business administration, Information technology
transregional, national
Research projects, Science policy
German
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