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Das IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik arbeitet seit vielen Jahren eng mit der Universität Nagoya, Japan, zusammen. Die Partnerschaft umfasst eine Forschungszu-sammenarbeit in den Bereichen Silizium-Germanium-Epitaxie (SiGe), Nanotechnologie sowie fortschrittliche Halbleiter- und optoelektronische Bauelemente. Neben der Erfor-schung neuer Halbleitertechnologien umfasst die Partnerschaft auch einen intensiven Aus-tausch von Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern sowie Studierenden, um Wissen und Erfahrungen zu teilen.
Die Partner entwickeln neue Epitaxietechniken und -methoden zur Optimierung der Halb-leiterschnittstellen, um die Miniaturisierung elektronischer Geräte zu ermöglichen. Eines der Schlüsselelemente ist die Untersuchung von SiGe-Epitaxieprozessen unter Verwendung der IHP-Technologieplattform. Die Eigenschaften von Silizium-Germanium-Nanodrähten und Nanopunkten werden für den Einsatz in energieeffizienten Transistoren und Lasern auf Siliziumbasis untersucht. Weitere Forschungsthemen sind die Lumineszenzeigenschaften von Si- und Ge-Nanostrukturen sowie innovative Lösungen für Sub-10nm-Technologien.
„Wir freuen uns sehr über diese Zusammenarbeit, da sie es uns ermöglicht, gegenseitig von den einzigartigen Ressourcen und Erfahrungen beider Parteien zu profitieren. Die Zu-kunft der Mikroelektronik und der Silizium-Photonik wird durch solche internationalen Partnerschaften vorangetrieben“, sagt Prof. Dr. Andreas Mai, Leiter der Abteilung Techno-logy des IHP. Dr. Yuji Yamamoto, Projektleiter am IHP, fügt hinzu:
„Unsere Forschung zur SiGe-Nanostruktur-Epitaxie ermöglicht die Entwicklung energieeffi-zienter Transistoren und Lichtquellen, die sowohl die Quantenelektronik als auch die Opto-elektronik revolutionieren können.“
Die Zusammenarbeit mit der Universität Nagoya umfasst zudem einen intensiven akademi-schen Austausch. Jedes Jahr besuchen Doktorandinnen und Doktoranden sowie Studieren-de aus Japan das IHP für Forschungsaufenthalte und Praktika, um wertvolle Erfahrungen zu sammeln und an innovativen Projekten teilzunehmen. Umgekehrt beteiligen sich die Wis-senschaftlerinnen und Wissenschaftler des IHP an der Forschung der Universität Nagoya und nutzen deren einzigartige Infrastruktur für die Halbleiterentwicklung. Der gegenseitige Austausch von Wissen und Forschungspersonal hat zu zahlreichen Veröffentlichungen und Vorträgen auf angesehenen internationalen Konferenzen (z. B. ISTDM, SSDM) geführt.
Ein wichtiger Schritt zur Stärkung der Zusammenarbeit war die Ernennung von Dr. Yuji Yamamoto vom IHP zum Gastprofessor an der Universität Nagoya, wodurch der akademi-sche Austausch zwischen den beiden Einrichtungen weiter gestärkt wurde. Er wird dort die Entwicklung des wissenschaftlichen Nachwuchses unterstützen und Kurse in Halbleiter-technologie geben. Am IHP treibt Dr. Yamamoto die Entwicklung der SiGe-Epitaxie voran und genießt auch in der internationalen Gemeinschaft hohe Anerkennung. Neben der Ent-wicklung zahlreicher High-End-SiGe-Bauelemente (HBTs, Fotodioden usw.) hat er maßgeb-lich zur Prozessentwicklung beigetragen und kontinuierlich neue Themen und fortschrittli-che Bauelemente in Sub-10nm-Technologien erforscht.
Für die Zukunft ist eine noch engere Zusammenarbeit zwischen dem IHP und der Universi-tät Nagoya geplant, um neue Erkenntnisse auf dem Gebiet der Epitaxie, der Quantenbau-elemente und der Optoelektronik zu gewinnen. Es werden neue Projektaktivitäten durch-geführt, einschließlich derjenigen im Rahmen der AS-PIRE-Initiative (Adopting Sustainable Partnerships for Innovative Research Ecosystem). Im Mittelpunkt der Forschungsarbeiten werden fortgeschrittene Halbleitermaterialien und ihre Anwendungen in der Telekommu-nikation und Sensortechnik stehen.
Dr. Yuji Yamamoto vom IHP wird zum Gastprofessor an der Universität Nagoya ernannt.
©IHP
Criteria of this press release:
Journalists
Chemistry, Electrical engineering, Materials sciences, Physics / astronomy
transregional, national
Cooperation agreements
German
Dr. Yuji Yamamoto vom IHP wird zum Gastprofessor an der Universität Nagoya ernannt.
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