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Nachrichten, Termine, Experten
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Ende Januar 2002 diskutierten Experten im Bundesministerium für Bildung und Forschung, BMBF, neue Entwicklungen beim geordneten Schichtwachstum (Epitaxie) von Verbindungshalbleitern auf Si-Substraten. Die Ergebnisse dieses Fachgespräches wurden in einem Ergebnisband zusammengefasst, der jetzt auch der Öffentlichkeit zugänglich ist.
Im September 2001 meldete die Firma Motorola, ihnen sei ein Durchbruch bei der Epitaxie von GaAs auf Si gelungen. Wenige Tage später berichtete die Aixtron AG über die Entwicklung eines MOCVD-Prozesses (Metal Oxide Chemical Vapor Deposition) zur Abscheidung GaN auf Si-Wafern. Beide Meldungen nährten die Hoffnung, es sei damit der Grundstein für eine kostengünstige, auf Silizium basierende, Opto- bzw. Hochfrequenz- und Leistungselektronik gelegt.
Die Bedeutung dieser Entwicklungen diskutierten am 28.01.02. ca. 25 Fachleute aus Industrie und Wissenschaft. Im Rahmen seiner Technologiefrüherkennungsaktivitäten hatte das VDI-Technologiezentrum in Kooperation mit dem Projektträger für Informationstechnik beim DLR und im Auftrag des BMBF zu einem Fachgespräch mit dem Titel III/V-Heteroepitaxie auf Si-Substraten nach Bonn geladen.
Das Fachgespräch sollte im wesentlichen folgende Fragestellungen erörtern und klären, welcher Handlungsbedarf sich daraus für das BMBF ableiten läßt:
1. Wie funktioniert die Motorola-Methode?
Wie ist ihr wirtschaftliches Potenzial einzuschätzen?
Welches Substitutionspotenzial hat die Methode gegenüber Konkurrenztechnologien?
2. Wie ist der Entwicklungsstand von x auf Si (x = GaN, InP,...), und welches Potenzial hat die Heteroepitaxie bei diesen Materialien?
3. Welche Bedeutung haben Metalloxide einerseits bei der Heteroepitaxie, andererseits als High-k Dielektrika?
Die Ergebnisse des Fachgesprächs sind in Band 40 der Reihe Zukünftige Technologien der ZT-Consulting des VDI-Technologiezentrums erschienen. Der Band ist kostenlos erhältlich bei:
Dr. Andreas Hoffknecht
Zukünftige Technologien Consulting des VDI-TZ
Graf-Recke-Strasse 84
D-40239 Düsseldorf
Tel.: +49(0)211-6214-4 56
Fax: +49(0)211-6214-1 39
e-mail: hoffknecht@vdi.de
www.zt-consulting.de
Criteria of this press release:
Electrical engineering, Energy, Information technology, Materials sciences, Mathematics, Physics / astronomy
transregional, national
Science policy, Scientific Publications
German
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