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Nahansicht des am Fraunhofer IAF entwickelten und gefertigten Leistungsmoduls mit GaN-Transistoren der 1200-V-Klasse auf isolierendem Substrat für den Einsatz in bidirektionalen DC-Ladesystemen
Copyright: © Fraunhofer IAF
(181 KB, 1920 x 1280 Punkte)
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