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18.07.2000 10:51

12. Internationale Konferenz über Positronen-Annihilation (ICPA)

Oberstleutnant Norbert Hoerpel Präsidialbereich/Pressestelle
Universität der Bundeswehr München

    Diese, im 3-jährigen Turnus abgehaltene Konferenz wird vom 7. August bis 11. August 2000 an der Universität der Bundeswehr München und damit zum ersten Mal in Deutschland stattfinden. Über 270 Wissenschaftler aus insgesamt 34 Staaten haben bereits ihr Kommen zugesagt. Auf der Konferenz wird über die neuesten Ergebnisse im Grundlagen- und Anwendungsbereich der Positronen-Annihilation berichtet werden. Die Universität der Bundeswehr München erhielt die Ehre zur Durchführung der Konferenz in Anerkennung der wissenschaftlichen Arbeiten und der neuartigen methodischen Entwicklungen von Prof. Dr. rer. nat. Werner Triftshäuser, vom Institut für Nukleare Festkörperphysik der Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik.

    Das Positron, bestehend aus Antimaterie, ist das sogenannte Antiteilchen zum Elektron. Da die uns umgebende Welt aus Materie besteht, ist das Positron nicht stabil, sondern annihiliert (zerstrahlt) mit einem Elektron, wobei die gesamte Masse der beiden Teilchen in g-Strahlung umgewandelt wird. Die dabei emittierte und detektierte g-Strahlung dient als Nachweis für den Zerstrahlungsprozeß. Das beim Zerfall des radioaktiven Atoms ausgesendete Positron dient als Sonde zur Untersuchung von Metallen, Legierungen, Halbleitern, Polymeren usw. und kann Defekte von atomistischen Dimensionen mit hoher Nachweiswahrscheinlichkeit detektieren. Die Positronen-Annihilation ist heute die empfindlichste Methode für den Nachweis von leerstellenartigen Defekten.

    Zu dieser Tagung darf ich die Vertreter der Medien im Auftrag von Prof. Triftshäuser, der mit der Durchführung der Tagung beauftragt ist, herzlich einladen und um Berichterstattung bitten. Einzelheiten zur Konferenz können Sie dem nachstehende Programm entnehmen. Da ich mir darüber bewußt bin, daß Sie nicht an der gesamten Tagung werden teilnehmen können, möchte ich Sie auf die Zusammenfassung der Tagung, die am Freitag, 11. August 2000 in der Zeit von 12.30 Uhr bis 13.30 Uhr stattfindet, besonders aufmerksam machen.
    Im Falle Ihrer Teilnahme erbitte ich Ihre Anmeldung bis spätestens Freitag, 4. August 2000 entweder an die Pressestelle der Universität der Bundeswehr München, Tel. 089 / 6004 - 2004, Fax: 089 / 6004 - 2009 oder aber an das Institut für Nukleare Festkörperphysik, Frau Martina Falter, Tel. 089 / 6004 - 3504, Fax: - 3295 oder e-mail: Martina.Falter@unibw-muenchen.de.
    Mit freundlichen Grüßen
    Norbert Hörpel
    Oberstleutnant

    Programm:
    ICPA-12 PROGRAM: Plenary Sessions ( AUDIMAX-HALL; BUIDLING 33)

    Monday, August 7
    9.15 Opening Ceremony
    9.45 Positron Beam Studies of Defects in Semiconductors
    11.00 Theory of Positron Annihilation in Metals and Semiconductors: Reliability
    11.45 What can be gained from Positron Studies in Respect to Polymers
    Invited lectures (Building 36)
    Chemistry & Polymers
    13.30 Positrons and Positronium in Zeolites
    14.00 An experimental study on the occupied volume in polymers
    14.30 Positronium formation at low temperature Semiconductors
    13.30 Positron spectroscopy of defects in semiconductors: new methods, new materials
    14.00 Defect Identification with Positrons
    14.30 Bulk Studies of Defects in Semiconductors
    18.00 Poster Session (Bldg. 35)

    Tuesday, August 8
    9.00 Current and Potential Use of Positrons to Improve Our Understanding of Porosity in Low-k Dielectric Films
    9.45 Positron and Positronium in Insulators
    11.00 Atomic Processes Involved in Precipitate Nucleation in Aged Aluminum Alloys
    11.45 Status of Positron Annihilation Studies of Age Hardening in Aluminum Alloys
    Invited lectures (Building 36)
    Metals & Diamonds
    13.30 High-temperature positron lifetime studies of nanocrystalline materials
    14.00 Positron Annihilation in Diamond
    14.30 Investigation of reactor steels Semiconductors
    13.30 Defect studies in semi- conductors
    14.00 Positron beam studies at Kalpakkam
    14.30 Study of Semiconductor Overlayers: Using Ion Implantation to Investigate Defect Physics

    Wednesday, August 9
    9.00 Antihydrogen: Progress and Problems
    9.45 Positronium in Solids
    11.00 Positron Depth Profiling
    11.45 Positron Traps and Trap-based Beams: Status and Future Prospects
    Excursion

    Thursday, August 10
    9.00 Positron Microscopy
    9.45 Intense positron sources and their applications
    11.00 Positrons and Defects in Metals
    11.45 Recent progess in 2D-ACAR in metals and alloys
    Invited lectures (Building 36)
    Microprobes & Sources
    13.30 Research Towards a Positron Microprobe at Livermore
    14.00 The Positron Microprobe at Bonn
    14.30 Intense Positron Source at the Munich Research Reactor FRM-II
    New Developments
    13.30 Time-of-Flight Analysis of Positron-Annihilation Induced Auger-Electrons and Re-Emitted Positrons
    14.00 Doppler Broadening Coincidence Studies
    14.30 Positron-Age-Momentum Correlation Beams
    15.30 The Positron Beams at KEK
    Momentum Distributions
    15.30 New Computational Methods for Positrons in Materials

    Friday, August 11
    9.00 Current Trends in Ion Implantation
    9.45 Positron Annihilation Induced Auger Electron Spectroscopy
    11.00 Positronium as a probe of chemical systems
    11.45 Positron annihilation in organic solids
    12.30 Summary
    Chemistry & Polymers
    Metals & Semiconductors


    Bilder

    Merkmale dieser Pressemitteilung:
    Mathematik, Physik / Astronomie, Werkstoffwissenschaften
    überregional
    Buntes aus der Wissenschaft, Wissenschaftliche Tagungen
    Deutsch


     

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