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Forscher des Max-Planck-Instituts für Mikrostrukturphysik gelingt Durchbruch für die Entwicklung der nächsten Generation von Gigabit-Computerspeichern
Im weltweiten Bemühen um neue Computer-Arbeitsspeicher mit Langzeitgedächtnis - so genannte non-volatile random access memories (NV-RAMs) oder "nichtflüchtige RAMs" - haben Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik in Halle (Saale) einen wichtigen Durchbruch geschafft: Ihnen ist es jetzt erstmals gelungen, dünne Schichten aus dem ferroelektrischen Material Lanthan-Wismut-Titan-Oxid auf Silizium-Wafern in einer besonders günstigen Kristallorientierung aufzubringen und damit die Grundlage zu schaffen für Computerchips mit einem sehr großen Speichervermögen pro Quadratzentimeter (Science, 14. Juni 2002).
http://www.mpg.de/pri02/pri0253.htm
Merkmale dieser Pressemitteilung:
Biologie, Chemie, Informationstechnik, Mathematik, Physik / Astronomie, Werkstoffwissenschaften
überregional
Forschungsergebnisse, Wissenschaftliche Publikationen
Deutsch
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