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05.03.2015 09:25

Kristalle für die Halbleitertechnologie ziehen

Rüdiger Mack Marketingkommunikation
FIZ Karlsruhe – Leibniz-Institut für Informationsinfrastruktur GmbH

    Parallele Herstellung senkt Energieverbrauch auf ein Drittel

    Kristalline Halbleiter-Komponenten sind das Herzstück vieler moderner Kommunikationstechniken wie Computer und Mobiltelefone. Ihre Herstellung erfolgt in einem mehrtätigen Ziehverfahren unter sehr hohem Energieeinsatz. Das BINE-Projektinfo „Monokristalline Halbleiter energiesparend produzieren“ (01/2015) stellt ein neues Verfahren zur Herstellung von Gallium-Arsenid-Kristallen vor. Statt bisher einzeln werden jetzt neun Kristalle parallel aus der Schmelze gezüchtet. Das senkt den spezifischen Energieverbrauch bei der Herstellung auf ein Drittel.

    Neben Silizium, das nach wie vor die Halbleitertechnologie dominiert, hat sich auch Gallium-Arsenid als Ausgangsmaterial für hochreine Einkristalle etabliert. Bei diesen sind die Atome nahezu perfekt im Gitter angeordnet und nur jedes Millionste Atom ist ein Fremdelement. Die Kristalle werden im Verlauf eines mehrtägigen Prozesses aus bis zu 1.300 °C heißen Schmelzen gezogen. Beim neuen Verfahren gelang es den Entwicklern, die Erstarrungsgeschwindigkeit und die Ausbeute zu steigern. Die Herausforderung bei der parallelen Züchtung liegt darin, die Wärmezufuhr und die Anordnung der neun Kristalle so durchzuführen, dass die Struktur und die Reinheit des Endprodukts nicht beeinträchtigt wird.

    Entwickelt wurde das neue Verfahren von der Freiberger Firma Compound Materials (FCM). Dr. Berndt Weinert, R&D Manager bei FCM: „Das Verfahren hat sich in der Praxis bewährt, die Produktion wurde nahezu vollständig darauf umgestellt. In 2014 wurden schätzungsweise 4.000 MWh eingespart.“ Die Firma hat mittlerweile ihre Produktion auf das neue Verfahren umgestellt.

    Das BINE-Projektinfo ist kostenfrei beim BINE Informationsdienst von FIZ Karlsruhe unter www.bine.info oder telefonisch unter 0228 92379-0 erhältlich.

    Pressekontakt

    BINE Informationsdienst
    Uwe Milles/Birgit Schneider
    Tel. 0228/9 23 79-26/-28
    Fax 0228/9 23 79-29
    E-Mail presse@bine.info
    Kaiserstraße 185-197
    53113 Bonn
    http://www.bine.info

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    Diesen Pressetext, eine PDF-Datei der Broschüre und eine druckfähige Grafik-Datei des Covers sowie zusätzliches Bildmaterial finden Sie unter http://www.bine.info/presse/pressemitteilungen/aktuell/pressemitteilung/kristall...
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    Bilder

    Das BINE-Projektinfo „Monokristalline Halbleiter energiesparend produzieren“ (01/2015)
    Das BINE-Projektinfo „Monokristalline Halbleiter energiesparend produzieren“ (01/2015)
    © BINE Informationsdienst
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    Die fertigen Kristalle werden in Scheiben gesägt und für die Waferproduktion in einem chemisch-mechanischen Prozess poliert.
    Die fertigen Kristalle werden in Scheiben gesägt und für die Waferproduktion in einem chemisch-mecha ...
    © Freiberger Compound Materials GmbH
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    Merkmale dieser Pressemitteilung:
    Journalisten, Lehrer/Schüler, Studierende, Wirtschaftsvertreter, Wissenschaftler
    Elektrotechnik, Energie, Informationstechnik, Maschinenbau, Umwelt / Ökologie
    überregional
    Forschungsergebnisse, Forschungsprojekte
    Deutsch


     

    Das BINE-Projektinfo „Monokristalline Halbleiter energiesparend produzieren“ (01/2015)


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    Die fertigen Kristalle werden in Scheiben gesägt und für die Waferproduktion in einem chemisch-mechanischen Prozess poliert.


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