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Das Institut für Angewandte Physik der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) organisiert gemeinsam mit der Firma SiCED, Erlangen - einer Tochter der Siemens AG - die "Third European Conference on Silicon Carbide and Related Materials" (ECSCRM2000, Dritte Europäische Konferenz über Siliziumkarbid und verwandte Werkstoffe). Das bedeutendste europäische Forum auf dem Gebiet der Erforschung dieser Halbleitermaterialien wird von Sonntag, 3. September, bis Donnerstag, 7. September 2000 im Konferenzzentrum Kloster Banz zusammentreten. Der Rektor der FAU, Prof. Dr. Gotthard Jasper, wird die Konferenz am Montagabend im Kaisersaal von Kloster Banz offiziell eröffnen.
Nach den Austragungsorten Herakleon/Griechenland und Montpellier/Frankreich findet die Konferenz zum ersten Mal in Deutschland statt. Es werden über 300 Wissenschaftler von Universitäten und aus der Industrie erwartet.
Dioden für höchste Leistung und für blaues Licht
Die Hauptaufmerksamkeit wird sich auf die Halbleiter Siliciumkarbid (SiC) bzw. Galliumnitrid (GaN) richten, die als Ausgangsmaterialien für elektronische Bauelemente für extrem hohe Leistungen und Temperaturen bzw. für blaue Leuchtdioden und blaue Laser eingesetzt werden. Für derartige Bauelemente, die aus physikalischen Gründen nicht aus den klassischen Halbleitern Silicium oder Galliumarsenid hergestellt werden können, besteht weltweit ein großes wirtschaftliches Potential. Blaue Leuchtdioden auf der Basis von SiC und GaN sind bereits kommerziell erhältlich; voraussichtlich Anfang 2001 werden die ersten SiC Schottky-Leistungsdioden auf dem Markt kommen.
Die vorgesehenen Themen sind breit gefächert und reichen von der Züchtung der Halbleitermaterialien über deren physikalische Eigenschaften bis zu den notwendigen Prozeßschritten, die für die Herstellung von Bauelementen erforderlich sind. Aus 23 Ländern aus Europa und Übersee sind über 250 wissenschaftliche Beiträge eingereicht worden. In einem Plenarvortrag wird Dr. Ploß, Infineon, berichten, wie weit die industrielle Entwicklung von SiC-Leistungsbauelementen bereits vorangeschritten ist. Dr. Arai vom Electrotechnical Laboratory in Tsukuba, Japan wird die japanischen Aktivitäten auf dem Gebiet der SiC-Leistungselektronik darlegen.
* Weitere Informationen:
Dr. Gerhard Pensl, Institut für Angewandte Physik
Staudtstraße 7 A3, 91058 Erlangen
Tel.: 09131/85 -28426, E-mail: gerhard.pensl@physik.uni-erlangen.de
Dr. Dietrich Stephani, SiCED, Erlangen
Tel.: 09131/7-31718, E-mail: dietrich.stephani@erls.siemens.de
Merkmale dieser Pressemitteilung:
Elektrotechnik, Energie, Informationstechnik, Mathematik, Physik / Astronomie
überregional
Buntes aus der Wissenschaft, Wissenschaftliche Tagungen
Deutsch
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