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03.12.2008 09:28

Kristalle für das effizientere Licht

Dr. Elisabeth Hoffmann Presse- und Öffentlichkeitsarbeit
Technische Universität Carolo-Wilhelmina zu Braunschweig

    Halbleiterexperten treffen sich in Braunschweig

    Nitrid-Halbleiter sind die Grundlage für moderne Beleuchtungstechnik. Schon
    in naher Zukunft werden so genannte Weißlicht-LEDs auf Nitrid-Basis mit
    weiter verbesserten Eigenschaften ineffiziente Glühbirnen verdrängen. Sie
    können in Frontscheinwerfern von Autos strahlen, die Herstellung von
    Taschen-Beamern ermöglichen und in zahllose weitere Produkte Einzug halten.

    Ein herausragendes Merkmal der LED-Technik ist die Effizienz: Im Vergleich
    zu konventionellen Glühbirnen wird fast keine elektrische Energie mehr
    benötigt - ein hervorragendes Beispiel für klugen Energieverbrauch ("Smart
    Energy Consumption") und ein weiterer Schritt in Richtung nachhaltige
    Technologien.

    Über 150 Spezialistinnen und Spezialisten aus dem Bereich der
    Halbleiter-Epitaxie treffen sich am 4. und 5.12.2008 an der Technischen
    Universität Braunschweig zum 23. Workshop des Arbeitskreises "Epitaxie von
    III/V-Halbleitern" der Deutschen Gesellschaft für Kristallwachstum und
    Kristallzüchtung (DGKK). Sie werden die neuesten Entwicklungen im Bereich
    Herstellung, Prozessierung und Anwendung von Halbleitern diskutieren.

    Ausgerichtet wird die Veranstaltung vom Institut für Halbleitertechnik der
    Technischen Universität Braunschweig. Veranstaltungsort ist die
    Welfenakademie, Salzdahlumer Straße 160, 38126 Braunschweig.

    Kontakt:
    Prof. Andreas Waag
    Institut für Halbleitertechnik der Technischen Universität Braunschweig
    Hans-Sommer-Straße 66, 38106 Braunschweig
    Tel.: 0531 391-3773
    E-Mail: a.waag@tu-braunschweig.de


    Weitere Informationen:

    http://www.dgkk.tu-bs.de


    Bilder

    Hightech-Halbleiter für künftige Anwendungen müssen mit äußerster Präzision hergestellt werden. Am Institut für Halbleitertechnik der TU Braunschweig züchten Dipl.-Ing. Stephan Merzsch und Dipl.-Phys. Sönke Fündling mithilfe der Gasphasenepitaxie einkristalline III/V-Halbleiter schichtweise auf unterschiedlichen Substraten.
    Hightech-Halbleiter für künftige Anwendungen müssen mit äußerster Präzision hergestellt werden. Am I ...
    Quelle: Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig

    Dipl.-Ing. Vladimir Petukhov charakterisiert Kristallschichten bezüglich ihrer Ladungsträgerverteilung.
    Dipl.-Ing. Vladimir Petukhov charakterisiert Kristallschichten bezüglich ihrer Ladungsträgerverteilu ...
    Quelle: Institut für Halbleitertechnik/TU Braunschweig


    Merkmale dieser Pressemitteilung:
    Elektrotechnik, Werkstoffwissenschaften
    überregional
    Wissenschaftliche Tagungen
    Deutsch


     

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