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29.08.2002 00:00

BMBF-Fachgespräch zu "Nichtflüchtigen Datenspeichern"

Dr. Andreas Hoffknecht Innovationsbegleitung & Innovationsberatung
VDI Technologiezentrum GmbH

    Am 29.08.02 diskutieren in Bonn Experten den Entwicklungsstand und die Potenziale der verschiedenen Ansätze nichtflüchtiger Datenspeicher (Non Volatile Memory, NVM) bei einem Fachgespräch, das das VDI-Technologiezentrum im Auftrag des Bundesministeriums für Bildung und Forschung BMBF organisiert.

    Nichtflüchtige Datenspeicher versprechen zahlreiche Vorteile gegenüber konventionellen Speichern (SRAM, DRAM). Dazu zählt unter anderem ihr geringerer Energieverbrauch. Die Nichtflüchtigkeit garantiert, dass gespeicherte Informationen auch ohne Stromversorgung erhalten bleiben. So ist ein mit nichtflüchtigem Arbeitsspeicher ausgerüsteter Computer nach dem Einschalten ohne ein langwieriges booten des Betriebsystems sofort verfügbar. Dies macht nichtflüchtige Speicher besonders für mobile Anwendungen interessant. Experten rechnen daher mit stark wachsenden Marktanteilen, wenn es gelingt, in Forschung und Entwicklung die heutigen Hauptnachteile der nichtflüchtigen Speicher zu überwinden.

    Grund genug für das VDI-Technologiezentrum, im Rahmen seiner Technologiefrüherkennungsaktivitäten im Auftrag des BMBF Experten aus Industrie und Wissenschaft zu einem Fachgespräch nach Bonn einzuladen.
    Das Fachgesprächs soll den Entwicklungsstand und die Entwicklungspotenziale der verschiedenen technologischen Ansätze zu nichtflüchtigen Speichern vergleichend gegenüberstellen. Dabei werden sowohl die Flash-Speicher, die den heutigen Markt dominieren, als auch magnetoelektronische bzw. ferroelektrische Speicher (MRAM, FRAM) und weitere Ansätze berücktsichtigt.
    Folgende Fragestellungen sollen diskutiert werden:
    · Wo liegen die technologischen Probleme, und welche Lösungsansätze werden verfolgt?
    · Welche Anforderungen werden für welches Anwendungsgebiet gestellt?
    · Wird es einen Universalspeicher geben, der die Dichte des DRAM, die Schnelligkeit des SRAM mit der Nichtflüchtigkeit verbindet, oder werden sich je nach Anwendungsgebiet unterschiedliche Ansätze durchsetzen können?
    · Welche Marktpotenziale, - anteile werden für die verschiedenen Technologien wann erwartet?
    · Wie ist die Ausgangssituation in Deutschland einzuschätzen?
    · Welcher Handlungsbedarf ergibt sich für das BMBF?

    Weitere Auskünfte:

    Dr. Andreas Hoffknecht
    Zukünftige Technologien Consulting des VDI-TZ
    www.zt-consulting.de

    Graf-Recke-Strasse 84
    D-40239 Düsseldorf

    Tel.: + 49 (0) 211 62 14-4 56
    Fax: + 49 (0) 211 62 14-1 39
    E-Mail: hoffknecht@vdi.de


    Bilder

    Merkmale dieser Pressemitteilung:
    Elektrotechnik, Energie, Informationstechnik, Mathematik, Physik / Astronomie, Werkstoffwissenschaften
    überregional
    Forschungsprojekte, Wissenschaftspolitik
    Deutsch


     

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